Експериментально і теоретично вивчено особливості корозійного руйнування алюмінієвої металізації великих інтегральних схем (ВІС). Показано, що процес руйнування алюмінієвої металізації сповільнюється і призупиняється введенням в алюмінієвий сплав РЗМ або модифікацією її поверхні іонною імплантацією. На основі досліджень розроблено нові матеріали та методи формування корозійностійкої металізації ВІС.

Проаналізовано стан мікроелектроніки у розвинених країнах світу, Росії та Україні. Розглянуто світовий ринок мікроелектроніки, тенденції її виробництва, державні або національні програми розвитку електроніки та мікроелектроніки, що діють у США, Європі, Японії, Південній Кореї, Росії, Україні. З огляду на ситуацію в Україні окреслено технологічні можливості підвищення техніко-економічних показників та якості виробів мікроелектроніки до конкурентоспроможного рівня.

Ключ. слова: формування плівок, дефектність плівок
Індекс рубрикатора НБУВ: К663.030.022-1

Рубрики:

Металізація металів у вакуумі

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З844.15

Рубрики:

Інтегральні схеми

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З844.15-06

Рубрики:

Інтегральні схеми

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Проведено комплекс досліджень стосовно зниження запиленості ламінарних повітряних потоків в чистих технологічних зонах. Розроблено конструкції аероіонізаторів, які підвищують на порядок клас чистоти, а також нейтралізують електростатичний заряд та стабілізують вологість і температуру в чистих технологічних зонах формування субмікронних структур ВІС.

In this paper the offered model of raising the purity class in a local workpiece range of silicon laminas aeroionization of laminar airflows, founded on Brown driving and mechanics of the Stokes, electrostatic forces also is rotined, that parts, whichone pollute a surface of the chemically treated Si-laminas are charged and the electrostatic potential can reach 10-15 kV. It essentially reduces electrical stability and reliability of structures VLSI

Наведено схемотехніку, структуру і технологію формування топології напівпровідникових запам'ятовуючих пристроїв адресного типу та викладено методи підвищення її швидкодії і радіаційної стійкості з використанням елементів субмікронної технології великих інтегральних схем.

In this article state circuitry, structure and technology of forming layout of superdense semiconductor randomaccess memory and methods of increasing of its quickness and radiation-insensitive with the use of elements of submicron technology are stated

Проведено дослідження імпульсної активації легувальних домішок, введених у кремній дифузійним методом, або імплантацією, в тому числі багатозарядною. Розроблено модифіковані моделі багатозарядної імплантації в пластини, вирізані з монокристалів кремнію, вирощених за методом Чохральського, та імплантації через металеву маску з метою формування силіцидних контактів у структурах ВІС.

Ключ. слова: діелектрики, напівпровідники, міжфазна межа, багатозарядна імплантація, alpha-опромінення
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271

Рубрики:

Електричні властивості

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Проаналізовано властивості нерівноважних вольт-фарадних (CV) характеристик метал - окисел - напівпровідникової структури, знятих на трапецоїдних імпульсах розгортки з тривалістю фронтів, меншою від часу перезарядження поверхневих станів і глибоких рівнів у напівпровіднику. Показано, що такі нерівноважні CV-характеристики можна використати для електрофізичного діагностування надійності структур великих інтегральних схем на стадії їх формування.

Ключ. слова: міжфазна межа розділу, радіаційна технологія, alpha-опромінення
Індекс рубрикатора НБУВ: З844.15

Рубрики:

Інтегральні схеми

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: модель СЕ, вольт-амперна характеристика, спектральний відгук, текстурований гетер, ізоконцентраційна домішка, високоенергетична імплантація, люмінофор, просвітлювальне покриття
Індекс рубрикатора НБУВ: З252.8

Рубрики:

Сонячні батареї

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: кремній, епітаксійні структури, плівки
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226

Рубрики:

Тонкі шари напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: проекційна літографія, оптичний сканер, gamma-контраст
Індекс рубрикатора НБУВ: М831

Рубрики:

Літографія

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: схемотехніка, польовий транзистор, топологія, високовольтний вихід, суміщена структура, багатозарядна імплантація, швидкодія, кремнієва епітаксійна структура
Індекс рубрикатора НБУВ: З852.3

Рубрики:

Напівпровідникові тріоди (кристалічні тріоди, транзистори)

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Розглянуто особливості поліімідних композицій і процесів формування на їх основі масок для високоенергетичної багатозарядної імплантації, міжшарової ізоляції та захисних пасивуючих покриттів субмікронних структур великих інтегральних схем.

Теплове моделювання процесів в структурах інтегрованих схем є актуальною задачею у разі збільшення ступеня інтеграції IC. Правильне моделювання електричної топологічної та теплової схем з наступними процесами верифікації підвищує на порядок якість топології, особливо в екстремальних режимах роботи IC.

Розроблено метод вимірювання термічних напружень в шарах субмікронних структур ВIС, оснований на п'єзорезистивному ефекті та тестовому контролі електрофізичних параметрів.

Проаналізовано властивості нерівноважних вольт-фарадних характеристик МОН структури, знятих на трапецієвидних імпульсах розгортки з довжиною фронтів, менших за час перезарядження поверхневих станів і глибоких рівнів у напівпровіднику. Показано, що такі нерівноважні CV-характеристики можна використовувати для електрофізичного діагностування надійності структур ВІС на стадії їх формування.

Проаналізовано схемотехнічні, конструкторські, структурні та технологічні рішення мікроконтролерних ЕОМ, в основі яких лежить польовий транзистор із своїми модифікаціями, в тому числі з плаваючим затвором, з урахуванням явищ другого порядку в субмікронному діапазоні.